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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF861B,235
NXP
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1 | RF MOSFET JFET 25V F5394SOT23 | SOT23 (3-Pin) | BF861B,235 |
3
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BC108C
Multicomp Pro
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1 | Low Power Bipolar Transistors | Transistor Outline, Cylindrical | BC108C |
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2SD1415A(F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SD1415A(F) NPN Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | 2SD1415A(F) |
3
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PMDPB70XPE,115
NXP
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1 | 20 V dual P-channel Trench MOSFET |6-UDFN Exposed Pad ,1.25V @ 250µA ,-55°C ~ 150°C (TJ) | Other | PMDPB70XPE,115 |
2
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BC182L
Magnatec
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1 | Magnatec BC182L NPN Bipolar Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin TO-92 | Other | BC182L |
3
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2SD2499
Inchange Semiconductor
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1 | INSTOCK silicon NPN transistors | Other | 2SD2499 |
3
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SSM6L13TU(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba SSM6L13TU(TE85L,F) Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.8 A, 20 V, 6-Pin UF | SO Transistor Flat Lead | SSM6L13TU(TE85L,F) |
3
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BD238
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | -55 + 150℃ Transistors (PNP) 2A, 80V, TO-126 Package | Transistor Outline, Vertical | BD238 |
3
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SST201-T1-E3
Vishay
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1 | N CHANNEL JFET, -40V, TO-236; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:200µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:1mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.5V; Transistor Type:JFET RoHS Compliant: Yes | SOT23 (3-Pin) | SST201-T1-E3 |
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BSL308PE
Infineon
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1 | Infineon BSL308PE Dual P-channel MOSFET Transistor, -2 A, -30 V, 6-Pin TSOP | SOT23 (6-Pin) | BSL308PE |
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SP8M8FU6TB
ROHM Semiconductor
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1 | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC | Small Outline Packages | SP8M8FU6TB |
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AC176
Germanium Power Devices Corporation
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1 | Germanium power transistor package TO-1 power dissipation 700MW, IC 300 mA | Other | AC176 |
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CJ2304
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET N Trench 30V 3.3A 2.2V @ 250uA 60 mΩ @ 3.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ2304 |
3
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CPH3116
onsemi
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1 | Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 | SOT23 (3-Pin) | CPH3116 |
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RT1N441S
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | NPN Transistor, Built-in bias resistor (R1=47kΩ,R2=47kΩ). Ｖ(BR)CEO 50V, ICBO 0.1μA, fT 200MHz | Other | RT1N441S |
3
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CJ3401
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET P Channel 30V 4.2A 1.3V @ 250uA 65mΩ @ 4.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ3401 |
3
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BUH515
Inchange
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1 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | Transistor Outline, Vertical | BUH515 |
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AO8808A
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, TSSOP-8 | Small Outline Packages | AO8808A |
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2SD1857
ROHM Semiconductor
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1 | Power Transistor (120V, 2A) | Other | 2SD1857 |
3
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MJE2955
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | INSTOCK | Transistor Outline, Vertical | MJE2955 |
3
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2SB546
Inchange Semiconductor
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1 | INSTOCK | Transistor Outline, Vertical | 2SB546 |
3
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300AS14-U
THAT CORPORATION
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1 | Bipolar Transistors - BJT 4-Match NPN Trans Ar Hfe 150, 36V/30mA | Small Outline Packages | 300AS14-U |
3
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SP8M3FU6TB
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM - SP8M3FU6TB - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, SOP, Surface Mount | Small Outline Packages | SP8M3FU6TB |
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CJ3407
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET P Channel 30V 4.1A 3V @ 250uA 60mΩ @ 4.1A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ3407 |
3
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SI3455DV-T1
Vishay
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1 | MOSFET 30V 3.5A 2W | SOT23 (6-Pin) | SI3455DV-T1 |
3
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